Processed Wafer

Oxidation Wafer
산화 웨이퍼는 고온에서 연마 웨이퍼의 표면에 산화막을 형성한 전기 절연체 웨이퍼입니다. MOS 트랜지스터의 Gate Oxide나 칩 내의 다양한 구조물을 전기적으로 격리하는 Field Oxide로서 활용됩니다. 산화 방식에는 건식과 습식이 있습니다. 이하 도표는 각 유형의 특성입니다.

건식 산화의 특성

  • 느린 산화막 형성
  • 우수한 밀도와 품질

습식 산화의 특성

  • 빠르고 두꺼운 산화막 형성
  • 짧은 시간내에 산화가 필요할 경우 유용
  • 상대적으로 낮은 밀도와 품질
Metal Deposition Wafer

M금속 증착 웨이퍼에는 반도체 제조에 요구되는 특성에 따라 다양한 금속박막을 입힙니다. 공정에 따라 구리(Cu), 니켈(Ni), 텅스텐(W) 등이 다양한 두께로 적용됩니다.