GaN Wafer
질화 갈륨 웨이퍼는 차세대 통신기술의 핵심 소재입니다.
보다 강력한 성능을 발휘함과 동시에, 더욱 효율적인 전력 사용, 경량화, 소형화라는 강점을 바탕으로
5G 산업, 인공지능, 무선 통신, 항공, 군사 분야 등 사용 분야가 지속적으로 확대되고 있습니다.
Specification | 100~150 mm | |||
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Conduction Type | Un-doped N-type |
N-type | High-doped N-type |
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Resistivity (Ω·cm) | 〈 0.5 | 〈 0.05 | 〈 0.01 | |
Dislocation Density (cm-2) |
Grade A | 1×105 | ||
Grade B | 1~5×106 | |||
Grade C | 5×106 ~ 1×107 | |||
Useable Surface Area | 〈 90% |