GaN Wafer

질화 갈륨 웨이퍼는 차세대 통신기술의 핵심 소재입니다.
보다 강력한 성능을 발휘함과 동시에, 더욱 효율적인 전력 사용, 경량화, 소형화라는 강점을 바탕으로
5G 산업, 인공지능, 무선 통신, 항공, 군사 분야 등 사용 분야가 지속적으로 확대되고 있습니다.

Specification 100~150 mm
Conduction Type Un-doped
N-type
N-type High-doped
N-type
Resistivity (Ω·cm) 〈 0.5 〈 0.05 〈 0.01
Dislocation
Density
(cm-2)
Grade A 1×105
Grade B 1~5×106
Grade C 5×106 ~ 1×107
Useable Surface Area 〈 90%