Epitaxial Wafer
에피텍셜 웨이퍼에는 단결정 실리콘 기판 (폴리시드 웨이퍼) 위에 단결정 실리콘 층이 추가된 웨이퍼입니다. 기판과 에피텍셜 레이어 둘 다 동일한 결정 구조를 가지고 있지만, 에피텍셜 레이어는 낙하 특성, 밴드 갭, 유전율과 같은 물리적 특성이 다르며, 결함 빈도가 낮습니다. 이러한 구조적, 전기적인 우수함으로 더 향상된 성능이 요구되는 반도체 소자를 제조할 수 있습니다.
Diameter: 200~300mm
| Specification | 200 mm | 300 mm | |
|---|---|---|---|
| Type [Dopant] | P | Boron | |
| N | Phosphorus [P], Antimony [Sb] | ||
| Resistivity (Ω·cm) | Sub | 0.001~100 | |
| EPI | 0.1~50 | ||
| EPI Thickness (μm) | 1~100 | ||
| Warp (μm) | Max 10 | ||
| TTV (μm) | Max 10 | ||
♦ Additional product line-ups are ready upon customer’s request.
ex) Particle, Resistivity, Flat or Notch etc.