Polished Wafer
폴리시드 웨이퍼는 용융, 결정 성장, 절단, 연마, 세정의 연속된 공정으로 제조된 얇은 디스크 모양의 고순도 단결정 실리콘 기판입니다.
이는 반도체 칩 제조에 사용되는 가장 일반적인 웨이퍼입니다.
당사는 SK실트론의 공식 대리점으로서, 다양한 Spec의 웨이퍼를 국내외 고객사에 공급을 하고 있습니다.
Diameter: 100~150mm
| Specification | 100 mm | 125 mm | 150 mm | |
|---|---|---|---|---|
| Type [Dopant] | P | Boron | ||
| N | Phosphorus [P], Red-Phosphorus, Antimony [Sb], Arsenic [As] | |||
| Resistivity (Ω·cm) | P | 0.001~100 | ||
| N | 0.001~100 | |||
| Thickness (μm) | 525±25 | 575±25 | 625±25 | |
| 675±25 | ||||
| Warp (μm) | Max 30 | |||
| TTV (μm) | Max 30 | |||
♦ Available in customized specs for specific needs.
ex) 150mm, N[As], Thickness-375±10μm
Diameter: 200~300mm
| Specification | 200 mm | 300 mm | |
|---|---|---|---|
| Type [Dopant] | P | Boron | |
| N | Phosphorus [P], Antimony [Sb], Arsenic [As] | ||
| Resistivity (Ω·cm) | P | 0.001~100 | |
| N | |||
| Thickness (μm) | 725±25 | 775±25 | |
| Warp (μm) | Max 50 | Max 30 | |
| TTV (μm) | Max 30 | Max 5 | |
♦ Additional product line-ups are ready upon customer’s request.
ex) Particle, Resistivity, Flat or Notch etc.